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Origin Of Growth Twins During Czochralski Growth Of Heavily Doped, Dislocation-Free Single Crystal Silicon
Stichwort:
silicon
,
defect
,
semiconductor
,
Czochralski
, and
twin
Schöpfer:
Kearns, Joel K.
Advisor:
Apelian, Diran
Herausgeber:
Worcester Polytechnic Institute
Datum erstellt:
2019-04-22
Resource Type:
Dissertation
Degree:
PhD
Unit (Department):
Materials Science & Engineering
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Collections
PhD Dissertations
1
Year
2019
1
Schöpfer
Kearns, Joel K.
1
Advisor
Apelian, Diran
1
Contributor
Apelian, Diran
1
Brody, Harold
1
Glicksman, Martin
1
Holzer, Joseph
1
Mishra, Brajendra
1
mehr
Contributors
»
Unit (Department)
Materials Science & Engineering
1
Herausgeber
Worcester Polytechnic Institute
1
Ressourcentyp
Dissertation
1